久久国产精品人人爽人人爽_亚洲 欧美 中文 日韩aⅴ一区_日本2020三级片在线观看_午夜福利影院在线不卡_了解最新bt天堂中文资源在线_亚洲中文无码AV永久伊人_国产高清性色视频卞载_韩国嗯啊视频免费_手机在线看永久AV_亚洲射射射十国产精品视频

我們利用CZ法(Czochralski)生長(zhǎng)p型和n型無(wú)位錯(cuò)的硅錠，其晶向分別為<100>、<111>或<110>，通過(guò)高純石英坩堝、超導(dǎo)磁場(chǎng)等應(yīng)用，提供low COP、COP Free、低金屬含量的高品質(zhì)、直徑100mm/125mm/150mm/200mm/300mm硅單晶棒。

單晶錠在經(jīng)過(guò)線切、磨片、化腐、熱處理、CVD、拋光等工序后制備得到具有高平坦度、幾何參數(shù)優(yōu)異、表面干凈且呈鏡面狀態(tài)的拋光片。

通過(guò)在硅襯底上有序生長(zhǎng)一層單晶硅，制備得到目標(biāo)電阻率厚度的外延片，從而得到高質(zhì)量硅片，以滿(mǎn)足制備器件的要求。

將硅片在氬氣退火爐中，經(jīng)過(guò)高溫退火，使硅片近表面區(qū)域的間隙氧向外擴(kuò)散，從而使近表面區(qū)域的空洞型微缺陷得以消除，形成一個(gè)潔凈區(qū)，該潔凈區(qū)可提高硅片的電學(xué)性能。