答:
含摻雜劑且厚度小于1μm的硅單晶薄片。
含摻雜劑且厚度小于1μm的硅單晶薄片。
首先將硅礦石提純制備得到多晶硅,然后再將多晶硅與摻雜劑混合并進(jìn)行熔融重結(jié)晶過程制備得到單晶錠,最后將單晶錠經(jīng)過切片、磨片、倒角、熱處理、拋光、清洗等操作后制備得到高平坦度及表面潔凈度的硅片。
硅片主要應(yīng)用于各種半導(dǎo)體芯片中,然后通過各種組裝應(yīng)用于生活中的各種電子設(shè)備,例如:電視、電腦、移動電話、汽車等。
硅在地球上儲量達(dá)到26.8%,僅次于氧;
硅的能隙較大(1.13V),使其具有較高的操作溫度及較低的漏電流;
硅片表面的SiO2層能耐高溫,對硅片起保護(hù)作用。
硅常以化合物(如:硅酸鹽、二氧化硅)的形式存在于巖石、塵土、沙子中。
摻雜劑主要為硼(B)、磷(P)、砷(As)、銻(Sb),其中摻B的硅片為P型,主要是空穴導(dǎo)電。P、As、Sb摻雜的硅片為N型,是利用電子導(dǎo)電。